Chemical Mechanical Planarization

化学机械平坦化硅溶胶磨料

化学机械平坦化 （CMP） 从晶圆表面去除材料，从而为电路的下一个工艺层创造高质量的基础，或者作为最后的抛光步骤。我们的新一代CMP硅溶胶磨料旨在实现浆料配方的目标选择比、低缺陷率和划痕率、快速去除率和高稳定性。

我们为CMP提供一系列硅溶胶磨料，以满足不同芯片类型和工艺层的不同浆料需求。磨料颗粒的粒径分布、硬度、形态和表面轮廓会直接影响去除率和晶圆缺陷等关键指标。

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用于CMP的高纯度硅溶胶产品

  • 尺寸：经过工程设计
  • 固体含量：30%
  • pH值：8.9-9.5
  • 钾稳定

  • 粒径（nm）： 35
  • 面积（m2/gm）： 85
  • 固体百分比： 30% 
  • pH值：9-10 
  • 稳定添加剂：K+

  • 粒径（nm）：经过工程设计 
  • 面积（m2/gm）： 85 
  • 固体百分比： 50% 
  • pH值：9-10 
  • 稳定添加剂：K+

  • 粒径（nm）：经过工程设计 
  • 面积（m2/gm）： 50 
  • 固体百分比： 50% 
  • pH值：8.5

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定制CMP磨料产品开发

我们经验丰富的专业研发和工程团队提供定制硅溶胶产品开发服务，针对特定的业务需求和工艺流程提供量身定制的解决方案。我们设计的产品涵盖各种：

  • 粒径
  • 粒径分布
  • 稳定阳离子
  • 浓度
  • pH值
  • 包装类型
  • 温度条件
  • 分类
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硅溶胶产品的质量和一致性

纳尔科的所有硅溶胶解决方案均注重质量、一致性和可靠性。为确保我们的硅溶胶在CMP应用中发挥正常作用，我们采用IPC标准来指导我们的质量控制测试。

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纳尔科是硅溶胶领域的领先企业

  • 在1941年率先获得专利的硅溶胶制造工艺
  • 全球最大的硅溶胶制造商之一
  • 从事定制产品开发并注重创新的研发和工程团队
  • 专为改进生产效率、质量和控制而设计的产品
  • 通过创新的颗粒设计和质量，实现卓越价值

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参考资料

  1. 产品采用LMSII工程方法制成，可去除铜和镍等金属至20 ppb以下。供货情况取决于订购量↵